三星宣布3纳米GAA架构制程技术芯片开始生产
品玩6月30日讯，星宣芯片今日宣布，布纳基于3纳米（nm）全环绕栅极（Gate-All-AroundT，架构技术简称 GAA）制程工艺节点的制程芯片已经开始初步生产。该公司已经开始在其位于韩国的开始华城工厂大规模生产 3 纳米半导体芯片，是生产全球首家量产 3 纳米芯片的公司。
3nm GAA技术采用了更宽通的星宣芯片纳米片，与采用窄通道纳米线的布纳GAA技术相比能提供更高的性能和能耗比。
与三星5nm工艺相比，架构技术第一代3nm工艺可以使功耗降低45%，制程性能提升23%，开始芯片面积减少16%；而未来第二代3nm工艺则使功耗降低50%，生产性能提升30%，星宣芯片芯片面积减少35%。布纳
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